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세계 최고속15nm급 차세대 화합물 반도체 개발
서울대 서광석(중앙고등학교 63회) 교수팀, 지쓰사 반도체 성능 능가
연합뉴스
http://news.chosun.com/site/data/html_dir/2007/12/11/2007121100512.html
국내 연구진이 나노트랜지스터 시장을 주도해온 일본 후지쓰 제품보다 크기는 작고 성능은 더 우수한 나노트랜지스터를 개발했다. 서울대 서광석 교수팀은 11일 '테라급나노소자개발사업단(단장 이조원)'의 지원으로 나노소자특화팹센터와 함께 세계에서 가장 빠른 15nm, 610GHz급 갈륨비소계 나노트랜지스터(mHEMT) 개발했다고 밝혔다.서 교수팀은 나노 HEMT 소자의 게이트 길이를 15nm까지 줄이고 트랜지스터 동작속도를 결정짓는 전류이득 차단주파수(fT)를 610GHz까지 끌어올려 전계효과 트랜지스터(FET) 중 가장 빠른 속도를 실현했다.
이는 일본 후지쓰가 보유한 종전의 25nm, 562GHz 세계 최고기록을 뛰어넘는 것으로 나노트랜지스터 분야에서 기술적 우위를 확보할 수 있는 계기가 될 것으로 기대를 모으고 있다.화합물 반도체는 실리콘 반도체보다 스위칭 속도가 10배 이상 빠르고 소비전력은 10분의1 이하로 이동ㆍ위성통신, 자동차 충돌방지장치, 모바일 센서 등의 마이크로파/밀리미터파 시스템과 초고속 광통신 시스템에 핵심 부품으로 사용되고 있다.이에 따라 미국 인텔과 IBM 등이 2015년께 실리콘CMOS 이후의 차세대 반도체 전자소자로 적용하기 위해 연구를 하고 있으나 미세한 게이트 전극을 구현하는 것 등이 큰 장애물이 되고 있다.
서 교수팀은 이번 연구에서 '경사식각공정(Sloped Etching Process)'이라는 새로운 공정기술로 이 문제를 해결했으며 기존 소자보다 가격이 절반 이하이고 대량생산도 가능하다. 연구팀은 이 기술에 대해 7건의 특허를 출원했으며 이 연구결과를 11일 미국 워싱턴에서 열리는 최고 권위의 반도체 학회인 국제전자소자회의(IEDM)에서 발표할 예정이다. 입력: 2007.12.11 11:48
